EMMC高低溫循環(huán)試驗(yàn)箱可針對(duì)NAND Flash、UFS芯片進(jìn)行高速、高低溫度范圍的全功能動(dòng)態(tài)老化測(cè)試。針對(duì)集成NAND和Controller的模組芯片（例如UFS和eMMC），還可進(jìn)行接口協(xié)議和性能測(cè)試。存儲(chǔ)器高速老化測(cè)試系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)早期失效篩選、故障定位、量產(chǎn)老化等測(cè)試需求。下面，我們來(lái)看看EMMC高低溫循環(huán)試驗(yàn)箱的技術(shù)要求。

產(chǎn)品名稱：環(huán)儀儀器 EMMC高低溫循環(huán)試驗(yàn)箱

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：

1.測(cè)試區(qū)：支持高低溫測(cè)試，溫度范圍可設(shè)定在-50℃～+150℃。

2.溫區(qū)隔離設(shè)計(jì)：隔離區(qū)通過調(diào)節(jié)尺寸以適應(yīng)不同溫區(qū)需求，最小尺寸可與第一溫度區(qū)合并。隔離區(qū)的直通板采用印刷電路板代替?zhèn)鹘y(tǒng)線纜，實(shí)現(xiàn)信號(hào)和電源在溫區(qū)之間的穩(wěn)定傳輸，同時(shí)增強(qiáng)隔熱性能。

3.散熱管理：在隔離區(qū)側(cè)面安裝散熱裝置（如風(fēng)扇），帶走直通板的熱量，防止熱量傳導(dǎo)至其他區(qū)域。采用側(cè)面出風(fēng)設(shè)計(jì)，確保溫度均勻，控制誤差在±5℃以內(nèi)，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的溫度控制。

4.模塊化設(shè)計(jì)：通過配置不同的測(cè)試板，支持多種存儲(chǔ)器（如Nand Flash、Nor Flash、DDR2/DDR3/DDR4、eMMC、SSD）的老化測(cè)試，實(shí)現(xiàn)靈活的測(cè)試需求。

技術(shù)參數(shù)：

設(shè)計(jì)性能：

1.高速高性能的NAND BIB設(shè)計(jì)

支持8個(gè)Burn-in Board并行測(cè)試，單個(gè)Burn-in Board支持96個(gè)DUT。

系統(tǒng)最大支持768個(gè)DUT。

支持ONFI4.0規(guī)范，測(cè)試速率高達(dá)800Mbps。

支持BBM、CFM、FBC功能，并支持?jǐn)?shù)據(jù)分析專用工具。

支持DUT的供電電壓拉偏測(cè)試。

2.高速高性能的UFS BIB設(shè)計(jì)

支持8個(gè)Burn-in Board并行測(cè)試，單個(gè)Burn-in Board支持80個(gè)DUT。

系統(tǒng)最大支持640個(gè)DUT。

支持UFS2.2/3.1協(xié)議規(guī)范，測(cè)試速率最高支持11.6Gbps（HS-G4B）。

支持UFS協(xié)議的標(biāo)準(zhǔn)SCSI命令和workload壓力測(cè)試。

支持UFS的測(cè)試性能數(shù)據(jù)分析。（IOPS、讀寫帶寬等）

如有EMMC高低溫循環(huán)試驗(yàn)箱的選型疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。