JESD22偏壓雙85濕熱試驗機適用于半導(dǎo)體、芯片、光電產(chǎn)品的高溫高濕試驗，在半導(dǎo)體行業(yè)則需要做偏壓濕熱試驗，偏壓濕熱試驗屬于老化試驗的一種，老化測試（Burn-in）：是指對產(chǎn)品施加電壓和溫度應(yīng)力，以便在早期階段消除產(chǎn)品潛在缺陷的測試。封裝后執(zhí)行的老化測試被稱為“老化中測試（TBDI）”。

偏壓試驗的5個試驗要點：

試驗設(shè)備：環(huán)儀儀器 JESD22偏壓雙85濕熱試驗機

試驗要點：

1.試驗背景

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)：HTRB試驗是AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中的Group B加速壽命模擬試驗的一部分，該標(biāo)準(zhǔn)廣泛用于汽車級、工業(yè)級和軍用級半導(dǎo)體器件的測試。

軍用級參考：HTRB試驗方法參考了MIL-STD-750方法1038條件A（適用于二極管、整流器和齊納管）和M1039條件A（適用于晶體管）。

2.試驗?zāi)康?/strong>

缺陷識別：HTRB旨在識別制造過程中產(chǎn)生的潛在缺陷，這些缺陷在未進行老化處理的情況下可能導(dǎo)致器件過早失效。

故障模式揭示：通過在特定條件下運行半導(dǎo)體器件，HTRB試驗揭示了由時間和應(yīng)力引起的電氣故障模式。

3.試驗條件

電壓與溫度：根據(jù)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，測試在最大直流反向電壓下進行1000小時，同時控制結(jié)溫以防止熱失控，環(huán)境溫度TA可以根據(jù)需要從Ta(MAX)向下調(diào)整。

批量測試：標(biāo)準(zhǔn)要求對3批*77顆器件進行同時測試，以確保數(shù)據(jù)的代表性和統(tǒng)計意義。

實時監(jiān)控：測試過程中需實時監(jiān)控漏電流，并在老化前后測量器件的靜態(tài)參數(shù)。

4.試驗前的電性能參數(shù)

參數(shù)測量：試驗前后需對器件進行基本的靜態(tài)參數(shù)測量，確保所有性能參數(shù)符合用戶零件規(guī)范的要求。

5.失效判定標(biāo)準(zhǔn)

性能參數(shù)：器件在試驗后應(yīng)繼續(xù)符合用戶零件規(guī)范中定義的性能參數(shù)要求。

參數(shù)變化：試驗后的電性能參數(shù)變化應(yīng)保持在初始值的±20%以內(nèi)。

泄漏電流：允許的泄漏電流不超過試驗前初始值的5倍。

物理損壞：器件外觀不得出現(xiàn)任何由試驗引起的物理損壞。

如對以上試驗有任何疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。